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参数资料
| 型号： | IXTT170N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 198nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTT170N10P IXTQ170N10P
IXTK170N10P
320
280
Fig. 7. Input Admittance
T J = - 40oC
120
100
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
240
25oC
200
160
150oC
80
60
25oC
150oC
120
40
80
20
40
0
0
3
4
5
6
7
8
9
10
0
40
80
120
160
200
240
280
320
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 50V
300
8
I D = 85A
I G = 10mA
250
200
150
100
T J = 25oC
T J = 150oC
7
6
5
4
3
2
50
1
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
R DS(on) Limit
10ms
1ms
100μs
DC
10,000
1,000
100
Ciss
Coss
Crss
100
10
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 |
| IXTT20N50D | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 |
| IXTT26N50P | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 |
| IXTT26N60P | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
| IXTT30N50L | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT1N100 | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT1N250HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV |
| IXTT1N450HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 |
| IXTT20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT20P50P | 功能描述:MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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