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参数资料
型号： IXTT26N50P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
标准包装： 30
系列： PolarHV™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 26A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 230 毫欧 @ 13A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 3600pF @ 25V
功率 - 最大： 400W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装： TO-268
包装： 管件
IXTQ 26N50P IXTT 26N50P
IXTV 26N50P IXTV26N50PS
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
1.000
0.100
0.010
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse W idth - Seconds
TO-268 (IXTT) Outline
? 2006 IXYS All rights reserved
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PDF描述
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参数描述
IXTT26N60P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT28N50Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTT30N50L 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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