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参数资料
| 型号： | IXTT40N50L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40A 500V TO-268 |
| 产品目录绘图： | TO-268 Package |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 320nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Linear L2 TM Power
MOSFET with extended
FBSOA
IXTH40N50L2
IXTQ40N50L2
IXTT40N50L2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500V
= 40A
≤ 170m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche rated
TO-247
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
Maximum Ratings
500
500
± 20
± 30
40
V
V
V
V
A
TO-3P
(TAB)
I DM
I A
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
80
40
A
A
G
D
S
(TAB)
E AS
P D
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
2
540
-55 to +150
J
W
° C
TO-268
T JM
T stg
+150
-55 to +150
° C
° C
G
S
T L
T SOLD
1.6mm (0.063in) from case for 10s
Plastic body for 10s
300
260
° C
° C
(TAB)
M d
Weight
Mounting torque (TO-247&TO-3P)
TO-247
1.13/10
6.0
Nm/lb.in.
g
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
TO-3P
TO-268
5.5
4.0
g
g
Features
Designed for linear operation
International standard packages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Avalanche rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
500
2.5
4.5
± 100
V
V
nA
flammability classification
Guaranteed FBSOA at 75 ° C
Applications
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
50 μ A
300 μ A
170 m Ω
Solid state circuit breakers
Soft start controls
Linear amplifiers
Programmable loads
Current regulators
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100100(01/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT50N30 | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 |
| IXTT50P085 | MOSFET P-CH 85V 50A TO-268 |
| IXTT50P10 | MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 |
| IXTT60N20L2 | MOSFET N-CH 200V 60A TO268 |
| IXTT64N25P | MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT440N055T2 | 功能描述:MOSFET N-Channel Trench Gate TrenchT2 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT48P20P | 功能描述:MOSFET -48.0 Amps -200V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT500N04T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT50N30 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 300V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT50P085 | 功能描述:MOSFET -50 Amps -85V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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