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参数资料
| 型号： | IXTT40N50L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40A 500V TO-268 |
| 产品目录绘图： | TO-268 Package |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 320nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH40N50L2 IXTQ40N50L2
IXTT40N50L2
40
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 20V
90
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 20V
35
12V
80
12V
30
25
10V
9V
8V
70
60
10V
9V
20
15
50
40
8V
10
7V
30
20
7V
6V
5
0
6V
5V
10
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
20
25
30
40
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 20A Value
vs. Junction Temperature
35
30
25
20
15
V GS = 20V
12V
10V
9V
8V
7V
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
V GS = 10V
I D = 40A
I D = 20A
1.2
10
5
0
6V
5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 20A Value
vs. Drain Current
45
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.8
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
40
35
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
30
25
20
15
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF: T_40N50L2(8R)01-20-09-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT50N30 | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 |
| IXTT50P085 | MOSFET P-CH 85V 50A TO-268 |
| IXTT50P10 | MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 |
| IXTT60N20L2 | MOSFET N-CH 200V 60A TO268 |
| IXTT64N25P | MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT440N055T2 | 功能描述:MOSFET N-Channel Trench Gate TrenchT2 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT48P20P | 功能描述:MOSFET -48.0 Amps -200V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT500N04T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT50N30 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 300V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT50P085 | 功能描述:MOSFET -50 Amps -85V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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