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参数资料
| 型号： | IXTT30N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 |
| 产品目录绘图： | TO-268 Package |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 82nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH 30N60P IXTQ 30N60P IXTT 30N60P
IXTV 30N60P IXTV 30N60PS
30
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.4
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
27
24
21
18
V GS = 10V
7V
6V
3.1
2.8
2.5
2.2
V GS = 10V
15
12
9
6
3
0
5.5V
5V
4.5V
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I D = 30A
I D = 15A
0
2
4
6
8 10
V D S - Volts
12
14
16
18
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
Fig. 6. Drain Current vs. Case
3
0.5 I D25 Value vs. I D
35
Tem perature
2.8
2.6
2.4
V GS = 10V
T J = 125 o C
30
25
2.2
2
1.8
1.6
1.4
20
15
10
1.2
1
0.8
T J = 25 o C
5
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
I D - Amperes
50 55 60
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
35
30
Fig. 7. Input Adm ittance
50
45
40
Fig. 8. Transconductance
25
20
15
35
30
25
20
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
10
5
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
15
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V G S - Volts
? 2006 IXYS All rights reserved
I D - Amperes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT40N50L2 | MOSFET N-CH 40A 500V TO-268 |
| IXTT50N30 | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 |
| IXTT50P085 | MOSFET P-CH 85V 50A TO-268 |
| IXTT50P10 | MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 |
| IXTT60N20L2 | MOSFET N-CH 200V 60A TO268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT360N055T2 | 功能描述:MOSFET 360Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT36P10 | 功能描述:MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT40N50L2 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT440N055T2 | 功能描述:MOSFET N-Channel Trench Gate TrenchT2 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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