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参数资料
| 型号： | IXTV18N60PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
I D25
PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTQ 18N60P
IXTV 18N60P
IXTV 18N60PS
V DSS = 600 V
= 18 A
R DS(on) ≤ 420 m Ω
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-3P (IXTQ)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
600
600
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Tranisent
± 30
± 40
V
V
G
D
D (TAB)
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
18
54
18
30
1.0
A
A
A
mJ
J
S
PLUS220 (IXTV)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 5 Ω
10
V/ns
G
D
S
D (TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
PLUS220SMD (IXTV...S)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
G
S
D (TAB)
M d
Mounting torque
(TO-3P)
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-3P
PLUS220 & PLUS220SMD
6
4
g
g
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
Features
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
600
V
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.5
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
420
m Ω
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99324E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTV200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220 |
| IXTV22N50PS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD |
| IXTV22N60PS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD |
| IXTV230N085TS | MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD |
| IXTV250N075T | MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV200N10TS | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV22N50P | 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV22N50PS | 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV22N60P | 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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