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参数资料
| 型号： | IXTV18N60PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 18N60P
IXTV 18N60P IXTV 18N60PS
18
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
40
Fig. 2. Output Characteristics
@ 125 o C
16
14
12
V GS = 10V
8V
7V
6V
35
30
25
V GS = 10V
8V
7V
10
20
8
6
15
6V
4
5V
10
2
0
5
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
18
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.1
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 18A
I D = 9A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
20
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3
2.8
V GS = 10V
T J = 125 o C
18
16
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
14
12
10
8
6
1.2
1
0.8
T J = 25 o C
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTV200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220 |
| IXTV22N50PS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD |
| IXTV22N60PS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD |
| IXTV230N085TS | MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD |
| IXTV250N075T | MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV200N10TS | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV22N50P | 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV22N50PS | 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV22N60P | 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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