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参数资料
| 型号： | IXTV26N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 |
| 产品目录绘图： | PLUS220 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | PLUS220 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTH26N60P
IXTQ26N60P
IXTT26N60P
IXTV26N60P
IXTV26N60PS
V DSS = 600 V
I D25 = 26 A
R DS(on) ≤ 270 m Ω
TO-247 (IXTH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
D
S
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
600
600
± 30
V
V
V
TO-3P (IXTQ)
V GSM
I D25
I DM
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 40
26
65
V
A
A
G
D
S
D (TAB)
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
13
40
1.2
A
mJ
J
TO-268 (IXTT)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
10
V/ns
G
S
D (TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 5 Ω
P D
T C = 25 ° C
460
W
PLUS220 (IXTV)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G
D
S
PLUS220SMD (IXTV_S)
D (TAB)
M d
Mounting torque (TO-3P&TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
F C
Mounting force (PLUS220)
11..65/2.5..15
N/lb
Weight
TO-3P
TO-247
TO-268
PLUS220 & PLUS220SMD
5.5
6.0
5.0
4.0
g
g
g
g
G = Gate
G
S
D (TAB)
D = Drain
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
S = Source
Features
TAB = Drain
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
600
V
Fast Recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 100
10
250
V
nA
μ A
μ A
rated
International standard packages
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
270
m Ω
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99376E(12/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFV30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220 |
| IXTH50P10 | MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD |
| XMLHVW-Q0-0000-0000LT351 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| OPB983P11Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS |
| XMLHVW-Q0-0000-0000LT2E3 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV26N60PS | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV280N055T | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV280N055TS | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV30N50P | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV30N50PS | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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