- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录465 > IXTX110N20L2 (IXYS)MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTX110N20L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 500nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
LinearL2 TM Power
MOSFET w/Extended
FBSOA
IXTK110N20L2
IXTX110N20L2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 200V
= 110A
< 24m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Guaranteed FBSOA
Avalanche Rated
TO-264 (IXTK)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
200
V
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
200
± 20
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSM
Transient
± 30
V
I D25
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
110
275
55
5
A
A
A
J
PLUS247(IXTX)
P D
T J
T JM
T C = 25 ° C
960
-55...+150
150
W
° C
° C
G
D
S
(TAB)
T stg
-55...+150
° C
G = Gate
D = Drain
T L
T SOLD
1.6mm (0.063 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
300
260
° C
° C
S = Source
TAB = Drain
M d
F C
Weight
Mounting Torque (IXTK)
Mounting Force (IXTX)
TO-264
PLUS247
1.13/10
20..120 / 4.5..27
10
6
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Features
Designed for Linear Operation
International Standard Packages
Avalanche Rated
Guaranteed FBSOA at 75 ° C
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
Applications
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
200
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 3mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
2.0
4.5
± 200
50
2.5
V
nA
μ A
mA
Solid State Circuit Breakers
Soft Start Controls
Linear Amplifiers
Programmable Loads
Current Regulators
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
24
m Ω
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100195(9/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTX17N120L | MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 |
| IXTX24N100 | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 |
| IXTX90N25L2 | MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247 |
| IXTY08N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK |
| IXTY08N100P | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTX120P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX170P10P | 功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX17N120L | 功能描述:MOSFET 17 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX200N10L2 | 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX20N140 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。