- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录465 > IXTX110N20L2 (IXYS)MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTX110N20L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 500nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXTK110N20L2
IXTX110N20L2
Fig. 1. Output Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
120
100
@ T J = 25oC
V GS = 20V
14V
12V
10V
280
240
V GS = 20V
14V
12V
10V
@ T J = 25oC
80
8V
6.5V
200
8V
160
60
6V
6.5V
120
40
80
6V
20
5V
40
5V
4V
0
0
4V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
120
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ T J = 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 55A Value vs.
Junction Temperature
100
V GS = 20V
12V
10V
8V
2.8
V GS = 10V
2.4
80
6V
I D = 110A
2.0
60
40
1.6
I D = 55A
20
0
5V
4V
1.2
0.8
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
4.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 55A Value vs.
Drain Current
120
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.5
3.0
V GS = 10V
T J = 125oC
100
80
2.5
60
2.0
40
1.5
T J = 25oC
1.0
0.5
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTX17N120L | MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 |
| IXTX24N100 | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 |
| IXTX90N25L2 | MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247 |
| IXTY08N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK |
| IXTY08N100P | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTX120P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX170P10P | 功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX17N120L | 功能描述:MOSFET 17 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX200N10L2 | 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX20N140 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。