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参数资料
| 型号： | IXTX17N120L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 8.5A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXTK17N120L
IXTX17N120L
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-264 (IXTK) Outline
g fs
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I DSS , Note 1
3.5
5.0
6.5
S
C iss
8300
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 15V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I DSS
R G = 2 Ω (External)
V GS = 15V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I DSS
520
90
42
31
110
83
155
41
60
0.15
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.18 ° C/W
° C/W
Safe Operating Area Specification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
SOA
V DS = 800V, I D = 0.3A, T C = 60 ° C, t P = 3s
240
W
PLUS 247 TM (IXTX) Outline
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = 17A, V GS = 0V, Note 1
I F = I S , -di/dt = 100A/ μ s, V R = 100V
1830
17
50
1.5
A
A
V
ns
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Note:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min. Max.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTX24N100 | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 |
| IXTX90N25L2 | MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247 |
| IXTY08N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK |
| IXTY08N100P | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
| IXTY08N50D2 | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTX200N10L2 | 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX20N140 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX20N150 | 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX210P10T | 功能描述:MOSFET P-Channel: Standard MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX22N100L | 功能描述:MOSFET LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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