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参数资料
型号： IXTX17N120L
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
标准包装： 30
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 17A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 900 毫欧 @ 8.5A，20V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 155nC @ 15V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 8300pF @ 25V
功率 - 最大： 700W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： PLUS247?-3
包装： 管件
IXTK17N120L
IXTX17N120L
100
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
RDS(on) Limit
25μs
100
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 60oC
RDS(on) Limit
10
100μs
10
25μs
100μs
1ms
1ms
1
10ms
1
T J = 150oC
T J = 150oC
10ms
T C = 25oC
Single Pulse
DC
100ms
T C = 60oC
Single Pulse
DC
100ms
0.1
0.1
10
100
1000
10000
10
100
1000
10000
V DS - Volts
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_17N120L(8N)02-18-09-B
相关PDF资料
PDF描述
IXTX24N100 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
IXTX90N25L2 MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247
IXTY08N100D2 MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
IXTY08N100P MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
IXTY08N50D2 MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTX200N10L2 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTX20N140 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTX20N150 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTX210P10T 功能描述:MOSFET P-Channel: Standard MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTX22N100L 功能描述:MOSFET LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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