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参数资料
| 型号： | IXTX550N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 550A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 595nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXTK550N055T2
IXTX550N055T2
350
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
400
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
300
250
200
V GS = 15V
10V
8V
7V
6V
350
300
250
V GS = 15V
10V
8V
7V
6V
200
150
5V
150
100
100
5V
50
0
4V
50
0
4V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
350
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
2.0
V DS - Volts
Fig. 4. Normalized R DS(on) vs. Junction Temperature
300
V GS = 15V
10V
8V
1.8
V GS = 10V
I D < 550A
7V
250
200
6V
1.6
1.4
150
100
50
0
5V
4V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.0
V DS - Volts
Fig. 5. Normalized R DS(on) vs. Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
1.8
1.6
V GS = 10V
15V
T J = 175oC
160
140
120
100
External Lead Current Limit
1.4
80
1.2
T J = 25oC
60
40
1.0
20
0.8
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SV-PC15 | POWER CORD 15' 115VAC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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