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参数资料
| 型号： | IXTX550N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 550A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 595nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXTK550N055T2
IXTX550N055T2
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
0.300
0.100
0.010
0.001
.sadgsfgsf
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF:T_550N055T2(V9)12-07-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SV-PC15 | POWER CORD 15' 115VAC |
| HC49US-7.680MABJ | CRYSTAL 7.680 MHZ 18PF HC49/US |
| HC49US-7.3728MABJ | CRYSTAL 7.3728 MHZ 18PF HC49/US |
| HC49US-6.144MABJ | CRYSTAL 6.144 MHZ 18PF HC49/US |
| SV-MPF2 | TYPE 2 FILTER MEDIUM PARTICLE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTX5N250 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET 2500V 5A HV Power MOSFET |
| IXTX600N04T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXTX60N50L2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX8N150L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX90N25L2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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