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参数资料
| 型号： | IXTY01N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 欧姆 @ 100mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 54pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IXTY01N100DKR |
IXTU 01N100
IXTY 01N100
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-251 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
160
54
6.9
2
mS
pF
pF
pF
t d(on)
12
ns
1.
Gate
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 500 V, I D = I D25
R G = 50 Ω (External)
12
28
ns
ns
2.
3.
4.
Drain
Source
Drain
Back heatsink
t f
28
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q g(on)
6.9
nC
A
A1
2.19
0.89
2.38
1.14
.086
0.35
.094
.045
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
1.8
3.0
nC
nC
b
b1
b2
c
0.64
0.76
5.21
0.46
0.89
1.14
5.46
0.58
.025
.030
.205
.018
.035
.045
.215
.023
c1
0.46
0.58
.018
.023
R thJC
5
K/W
D
5.97
6.22
.235
.245
E
e
e1
H
L
L1
L2
6.35
2.28
4.57
17.02
8.89
1.91
0.89
6.73
BSC
BSC
17.78
9.65
2.28
1.27
.250
.090
.180
.670
.350
.075
.035
.265
BSC
BSC
.700
.380
.090
.050
Source-Drain Diode
Characteristic Values
L3
1.15
1.52
.045
.060
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-252 AA
V SD
t rr
I F = 100 mA, V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 0.75 A, -di/dt = 10 A/ μ s,
1.8
1.5
V
μ s
V DS = 25 V
1 Anode
2 NC
3 Anode
4 Cathode
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
2.19 2.38
0.89 1.14
0 0.13
0.64 0.89
0.76 1.14
5.21 5.46
0.46 0.58
0.46 0.58
5.97 6.22
4.32 5.21
6.35 6.73
4.32 5.21
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64 1.02
0.89 1.27
0.086 0.094
0.035 0.045
0 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.205 0.215
0.018 0.023
0.018 0.023
0.235 0.245
0.170 0.205
0.250 0.265
0.170 0.205
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370 0.410
0.020 0.040
0.025 0.040
0.035 0.050
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
L3
2.54 2.92
0.100 0.115
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32621A6183J189 | FILM CAP 0.0180UF 5% 630V |
| 6GM5M-78 | SWITCH TOGGLE DPDT 15A QC |
| B32620A6123J289 | FILM CAP 0.0120UF 5% 630V |
| B32522C6104K289 | FILM CAP 0.1000UF 10% 400V |
| A103MD9AB04 | SWITCH TOGGLE SPDT RA PC GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY01N100D | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY01N80 | 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY02N120P | 功能描述:MOSFET 0.2Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY02N50D | 功能描述:MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY05N100 | 功能描述:MOSFET Legacy MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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