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参数资料
| 型号： | IXTY01N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 欧姆 @ 100mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 54pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IXTY01N100DKR |
IXTU 01N100
IXTY 01N100
200
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 ° C
500
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 ° C
180
V GS
= 10V
6V
450
V GS = 10V
6V
160
140
120
100
80
400
350
300
250
200
60
40
5V
150
100
20
0
50
0
5V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
200
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 ° C
2.8
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
180
160
V GS = 10V
6V
2.5
V GS = 10V
2.2
140
120
1.9
I D = 200mA
100
5V
1.6
80
1.3
I D = 100mA
60
1
40
20
0
0.7
0.4
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
110
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
400
500
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2005 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY01N100D | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY01N80 | 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY02N120P | 功能描述:MOSFET 0.2Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY02N50D | 功能描述:MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY05N100 | 功能描述:MOSFET Legacy MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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