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参数资料
| 型号： | IXTY01N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 欧姆 @ 100mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 管件 |
High Voltage MOSFET
N-Channel, Enhancement Mode
IXTU 01N80
IXTY 01N80
V DSS
I D25
R DS(on)
= 800 V
= 100m A
= 50 ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-251 AA (IXTU)
01N100
V DSS
T J = 25°C to 150°C
800
V
V DGR
T J = 25°C to 150°C; R GS = 1 M ?
800
V
G
V GS
V GSM
Continuous
Transient
±20
±30
V
V
D
S
D (TAB)
I D25
I DM
P D
T C = 25°C; T J = 25°C to 150°C
T C = 25°C, pulse width limited by max. T J
T C = 25°C
100
400
25
mA
mA
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
°C
°C
°C
TO-252 AA (IXTY)
T L
Weight
1.6 mm (0.063 in) from case for 5 s
300
0.8
°C
g
G
S
D (TAB)
G = Gate,
S = Source,
Features
D = Drain,
TAB = Drain
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
International standard packages
min.
typ.
max.
JEDEC TO-251 AA, TO-252 AA
V DSS
V GS = 0 V, I D = 25 μ A
800
V
V
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 25 μ A
V GS = ±20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25°C
T J = 125°C
2
4.5
±50
10
200
V
nA
μ A
μ A
Fast switching times
Applications
Level shifting
Triggers
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I D25
Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2 %
50
?
Solid state relays
Current regulators
? 2002 IXYS All rights reserved
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445W35E16M00000 | CRYSTAL 16.00000 MHZ 20PF SMD |
| 445W35D16M00000 | CRYSTAL 16.00000 MHZ 18PF SMD |
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| 445W35A16M00000 | CRYSTAL 16.00000 MHZ 10PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY02N120P | 功能描述:MOSFET 0.2Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY02N50D | 功能描述:MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY05N100 | 功能描述:MOSFET Legacy MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY06N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXTY08N100D2 | 功能描述:MOSFET 8mAmps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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