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参数资料
| 型号： | IXTY01N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 欧姆 @ 100mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 管件 |
IXTU 01N80
IXTY 01N80
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-251 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
140
60
8.0
2.0
mS
pF
pF
pF
t d(on)
12
ns
1.
Gate
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 500 V, I D = I D25
R G = 50 ? (External)
12
28
ns
ns
2.
3.
4.
Drain
Source
Drain
Back heatsink
t f
28
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q g(on)
8
nC
A
A1
2.19
0.89
2.38
1.14
.086
0.35
.094
.045
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
1.8
3
nC
nC
b
b1
b2
c
0.64
0.76
5.21
0.46
0.89
1.14
5.46
0.58
.025
.030
.205
.018
.035
.045
.215
.023
c1
0.46
0.58
.018
.023
R thJC
3
K/W
D
5.97
6.22
.235
.245
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
E
e
e1
H
L
L1
L2
L3
TO-252 AA
6.35
2.28
4.57
17.02
8.89
1.91
0.89
1.15
6.73
BSC
BSC
17.78
9.65
2.28
1.27
1.52
.250
.090
.180
.670
.350
.075
.035
.045
.265
BSC
BSC
.700
.380
.090
.050
.060
Symbol
V SD
t rr
Test Conditions
I F = 100 mA, V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 0.75 A, -di/dt = 10 A/ μ s,
min.
typ.
max.
1.5
1.5
V
μ s
V DS = 25 V
1 Anode
2 NC
3 Anode
4 Cathode
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
2.19 2.38
0.89 1.14
0 0.13
0.64 0.89
0.76 1.14
5.21 5.46
0.46 0.58
0.46 0.58
5.97 6.22
4.32 5.21
6.35 6.73
4.32 5.21
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64 1.02
0.89 1.27
0.086 0.094
0.035 0.045
0 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.205 0.215
0.018 0.023
0.018 0.023
0.235 0.245
0.170 0.205
0.250 0.265
0.170 0.205
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370 0.410
0.020 0.040
0.025 0.040
0.035 0.050
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
L3
2.54 2.92
0.100 0.115
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445W35E16M00000 | CRYSTAL 16.00000 MHZ 20PF SMD |
| 445W35D16M00000 | CRYSTAL 16.00000 MHZ 18PF SMD |
| B32529C3124J | FILM CAP 0.1200UF 5% 250V |
| 3EQ8 | FILTER PWR LINE RFI WIRE LEAD 3A |
| 445W35A16M00000 | CRYSTAL 16.00000 MHZ 10PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY02N120P | 功能描述:MOSFET 0.2Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY02N50D | 功能描述:MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY05N100 | 功能描述:MOSFET Legacy MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY06N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXTY08N100D2 | 功能描述:MOSFET 8mAmps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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