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参数资料
| 型号： | IXTY1N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 220pf @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 散装 |
High Voltage MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated
IXTA 1N80
IXTP 1N80
IXTY 1N80
V DSS
I D25
R DS(on)
= 800 V
= 750 m A
= 11 ?
Preliminary Data
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-220AB (IXTP)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
800
800
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
GD
S
D (TAB)
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
750
3
1.0
mA
A
A
TO-263 AA (IXTA)
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
5
100
mJ
mJ
G
S
D (TAB)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 47 ?
T C = 25 ° C
3
40
V/ns
W
TO-252 AA (IXTY)
T J
T JM
-55 ... +150
150
° C
° C
G
S
D (TAB)
T stg
M d
Mounting torque
-55 ... +150 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
Weight
TO-220
TO-252
TO-263
4
0.8
3
g
g
g
Features
! International standard packages
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
! High voltage, Low R DS (on) HDMOS TM
process
! Rugged polysilicon gate
cell structure
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
! Fast switching times
min.
typ.
max.
Applications
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
800
V
! Switch-mode
and resonant-mode
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 25 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
2.5
4.5
± 100
V
nA
power supplies
! Flyback inverters
! DC choppers
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
25
500
μ A
μ A
! High frequency
matching
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 500 mA
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
9.5
11
?
Advantages
! Space savings
! High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98822C(11/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| IXTY2N60P | MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK |
| IXTY4N60P | MOSFET N-CH TO-252 |
| IXTY55N075T | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 |
| IXTZ550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY1N80P | 功能描述:MOSFET POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY1R4N100P | 功能描述:MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY1R4N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXTY1R4N60P | 功能描述:MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY1R4N60PTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
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