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参数资料
型号： IXTY1N80
厂商： IXYS
文件页数： 2/2页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
标准包装： 1
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 750mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 11 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4.5V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 8.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 220pf @ 25V
功率 - 最大： 40W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装： TO-252AA
包装： 散装
IXTP 1N80 IXTA 1N80
IXTY 1N80
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-220 AD Dimensions
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 20 V; I D = 500 mA, pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 1A
0.7
0.8
220
23
4
11
19
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
R G
= 47 ?, (External)
40
28
ns
ns
Q G(on)
Q GS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 1A
8.5
2.5
nC
nC
Pins: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
Bottom Side
Q GD
R thJC
4.5
3.1
nC
K/W
R thCK
(IXTP)
0.50
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
I S
I SM
Test Conditions
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
min.
typ.
max.
750
3
mA
A
V SD
t rr
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.8
710
2
V
ns
TO-263 AA Outline
TO-252 AA Outline
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min.
Max.
1.
Gate
A
A1
A2
b
2.19 2.38
0.89 1.14
0 0.13
0.64 0.89
0.086 0.094
0.035 0.045
0 0.005
0.025 0.035
2.
3.
4.
Drain
Source
Drain
Bottom Side
b1
0.76 1.14
0.030 0.045
Dim.
Millimeter
Inches
b2
5.21 5.46
0.205 0.215
Min.
Max.
Min.
Max.
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
0.46 0.58
0.46 0.58
5.97 6.22
4.32 5.21
6.35 6.73
4.32 5.21
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64 1.02
0.89 1.27
2.54 2.92
0.018 0.023
0.018 0.023
0.235 0.245
0.170 0.205
0.250 0.265
0.170 0.205
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370     0.410
0.020 0.040
0.025 0.040
0.035 0.050
0.100 0.115
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
R
0.46
0.74
.018
.029
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料
PDF描述
IXTY1R6N100D2 MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
IXTY2N60P MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK
IXTY4N60P MOSFET N-CH TO-252
IXTY55N075T MOSFET N-CH 75V 55A TO-252
IXTZ550N055T2 MOSFET N-CH 55V 550A DE475
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTY1N80P 功能描述:MOSFET POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY1R4N100P 功能描述:MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY1R4N120P 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IXTY1R4N60P 功能描述:MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY1R4N60PTRL 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
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