- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18724 > IXTY1R6N50P (IXYS)MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTY1R6N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 43W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500
= 1.6
≤ 6.5
V
A
Ω
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-220 (IXTP)
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
500
500
± 30
V
V
V
V GSM
Transient
± 40
V
G
D S
(TAB)
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
1.6
2.5
1.6
5
75
A
A
A
mJ
mJ
TO-252 (IXTY)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 50 Ω
10
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
43
W
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
M d
Mounting torque (TO-220)
1.13/10 Nm/lb.in.
Features
Weight
TO-252
TO-220
0.8
4
g
g
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
500
V
Advantages
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 25 μ A
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.5
± 100
1
50
V
nA
μ A
μ A
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
6.5
Ω
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99444E(04/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 80-11 | NAIL HARNESS BOARD 2.0" |
| D6NF1G960P1BR-Z | DUPLEXER SAW 1.96GHZ W-CDMA II |
| TC32V6C32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 1.5V SMD |
| CRBR-3.3-5.0V-KIT | KIT IN-LINE REGULATOR 3.3V/5.0V |
| TC32M6C32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 1.8V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY24N15T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 150V 100 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY26P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2N100P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2N60P | 功能描述:MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2N80P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。