- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18724 > IXTY1R6N50P (IXYS)MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTY1R6N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 43W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Fig. 7. Input Adm ittance
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Fig. 8. Transconductance
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
5.0
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
4.5
4.0
3.5
3.0
9
8
7
6
V DS = 250V
I D = 0.8A
I G = 10mA
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
5
4
3
2
1
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
10
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 150 o C
100
10
1
C iss
C oss
C rss
1
0.1
R DS(on) Limit
DC
T C = 25 o C
25μs
100μs
1ms
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 80-11 | NAIL HARNESS BOARD 2.0" |
| D6NF1G960P1BR-Z | DUPLEXER SAW 1.96GHZ W-CDMA II |
| TC32V6C32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 1.5V SMD |
| CRBR-3.3-5.0V-KIT | KIT IN-LINE REGULATOR 3.3V/5.0V |
| TC32M6C32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 1.8V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY24N15T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 150V 100 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY26P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2N100P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2N60P | 功能描述:MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2N80P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。