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参数资料
| 型号： | IXTY2N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 655pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 86W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTA2N100P IXTP2N100P
IXTY2N100P
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
2.0
1.8
V GS = 10V
7V
3.2
2.8
V GS = 10V
7V
1.6
2.4
1.4
1.2
1.0
0.8
6V
2.0
1.6
1.2
6V
0.6
0.8
0.4
5V
0.2
0.0
0.4
0.0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 1A Value
vs. Junction Temperature
2.0
1.8
V GS = 10V
7V
3.0
2.8
V GS = 10V
2.6
1.6
2.4
1.4
6V
2.2
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
5V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
I D = 2A
I D = 1A
0.8
0.2
0.0
0.6
0.4
0
5
10
15
20
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 1A Value
vs. Drain Current
2.2
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
V GS = 10V
T J = 125oC
2.0
1.8
2.2
1.6
2.0
1.8
1.6
1.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
0.4
0.2
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JWMW12RCA | SWITCH ROCKER SPDT 10A 125V |
| JWM21RA1A/UCV | SWITCH ROCKER DPST 10A 125V |
| JWL11RA1A/UCV | SWITCH ROCKER SPST 16A 125V |
| 445A31K16M00000 | CRYSTAL 16.00000 MHZ 8PF SMD |
| JWMW12RAA | SWITCH ROCKER SPDT 10A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY2N60P | 功能描述:MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2N80P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTY32P05T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY3N50P | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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