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参数资料
| 型号： | IXTY2N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 655pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 86W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTA2N100P IXTP2N100P
IXTY2N100P
2.4
2.2
2.0
Fig. 7. Input Admittance
3.5
3.0
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
1.8
1.6
2.5
25oC
1.4
1.2
1.0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
2.0
1.5
125oC
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1.0
0.5
0.0
3.0
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
5.8
6.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
6.0
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
9
8
7
6
V DS = 500V
I D = 1A
I G = 10mA
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
T J = 125oC
T J = 25oC
5
4
3
2
1
0
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
1,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
10.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
100
10
1
f = 1 MHz
Coss
Crss
1.00
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_2N100P (2C) 04-03-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JWMW12RCA | SWITCH ROCKER SPDT 10A 125V |
| JWM21RA1A/UCV | SWITCH ROCKER DPST 10A 125V |
| JWL11RA1A/UCV | SWITCH ROCKER SPST 16A 125V |
| 445A31K16M00000 | CRYSTAL 16.00000 MHZ 8PF SMD |
| JWMW12RAA | SWITCH ROCKER SPDT 10A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY2N60P | 功能描述:MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2N80P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2R4N50P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY32P05T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY3N50P | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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