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参数资料
| 型号： | IXTY2N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.1 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTP IXTY2N60P
IXTY IXTP2N60P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-252 AA (IXTY) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
1.4
2.2
240
28
3.5
S
pF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 50 Ω (External)
28
20
60
23
ns
ns
ns
ns
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Bottom Side
Q g(on)
Q gs
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
7.0
2.5
nC
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gd
R thJC
R thCS
2.1
0.50
nC
2.25 ° C /W
° C /W
A
A1
A2
b
b1
b2
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
c
c1
D
0.46
0.46
5.97
0.58
0.58
6.22
0.018
0.018
0.235
0.023
0.023
0.245
Source-Drain Diode
D1
E
4.32
6.35
5.21
6.73
0.170
0.250
0.205
0.265
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
I S V GS = 0V
I SM Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
2
6
A
A
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
4.32 5.21
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64 1.02
0.89 1.27
2.54 2.92
0.170 0.205
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370 0.410
0.020 0.040
0.025 0.040
0.035 0.050
0.100 0.115
V SD
t rr
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
I F = 2A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
400
1.5
V
ns
TO-220 (IXTP) Outline
Note 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
Pins:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY4N60P | MOSFET N-CH TO-252 |
| IXTY55N075T | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 |
| IXTZ550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
| IXUC160N075 | MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 |
| IXUN280N10 | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY2N80P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2R4N50P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY32P05T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY3N50P | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY3N60P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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