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参数资料
| 型号： | IXUN280N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 140A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 440nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 770W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Advanced Technical Information
Trench Power MOSFET
Very low R DS(on)
IXUN 280N10
V DSS = 100 V
I D25 = 280 A
R DS(on) = 3.9 m ? (typ.)
G
D
SOT-227 B,
miniBLOC
G
KS
KS
S
D
S
G = Gate
S = Source
D = Drain
KS = Kelvin Source
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Features
V DSS
V GS
V GSM
I D25
I D90
I D(RMS)
P D
T J
T JM
T stg
T J = 25°C to 150°C
Continuous
Transient
T C = 25°C
T C = 90°C
Package lead current limit
T C = 25°C
100
± 20
± 30
280
210
150
770
-55 ... +150
175
-55 ... +175
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
? trench MOSFET
? very low on state resistance R DSon
? fast switching
? fast body diode
? industry standard outline
? isolated package
? high reliability
Applications
? automotive
? converters for fuel cells
? AC drives
V ISOL
M d
50/60 Hz, RMS, t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA, t = 1 s
Mounting torque
Terminal connection torque
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
? choppers to replace series dropping
resistors used for motors, heaters etc.
? DC-DC converters
? electronic switches
? replacing relays and fuses
Weight
30
g
? power supplies
? solar inverters
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? battery supplied systems
? choppers or inverters for motor control
in hand tools
? battery chargers
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 140 A
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d < 2 %
3.9
5
m ?
Advantages
V GH(th)
I DSS
V DS = V GS ,
V DS = V DSS ,
I D = 4 mA
T J = 25°C
2
4
400
V
μA
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
V GS = 0 V,
T J = 125°C
2
mA
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 400
nA
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2004 IXYS All rights reserved
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JF01PE | INDICATOR SQUARE YELLOW PC |
| JN5121-000-M00T | MODULE 802.15.4 W/CERM ANT |
| JN5139/001,531 | MCU 802.15.4 32BIT 2.4G 56-QFN |
| JN5139-EK000 | KIT EVAL IEEE802.15.4 JN5139 |
| JN5139/Z01,515 | IC MCU ZIGBEE 32BIT 2.4G 56QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXUN350N10 | 功能描述:MOSFET 350 Amps 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUV170N075 | 功能描述:MOSFET 170 Amps 75V 0.0053 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUV170N075S | 功能描述:MOSFET 170 Amps 75V 0.0053 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXWW11-AL | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Silicon Chip Resistors |
| IXWW13-AL | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Silicon Chip Resistors |
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