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参数资料
| 型号： | IXUN280N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 140A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 440nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 770W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Advanced Technical Information
IXUN 280N10
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCH
V DS = 10 V, I D = 100 A, pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 30 V, I D = 100 A
R G = 2.5 ? (external)
V GS = 10 V, V DS = 80 V, I D = 100 A
with heat transfer paste
220
18
2.2
1.2
35
85
150
70
440
75
180
0.05
0.19
S
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = 280 A, V GS = 0 V,
380
570
1.70
A
A
V
Pulse test, t < 300 μs, duty cycle d < 2 %
t rr
I RM
I F = 300 A, V R = 30 V
-di/dt = 400 A/μs
80
35
ns
A
miniBLOC, SOT-227 B
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
0
P
Q
R
S
T
U
V
W
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
3.30
19.81
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.10
4.57
21.08
1.240
.307
.161
.161
.161
.587
1.186
1.489
.460
.351
.030
.496
.990
0.78
.195
1.045
.155
.186
.968
-.002
.130
.780
1.255
.323
.169
.169
.169
.595
1.193
1.505
.481
.378
.033
.506
1.001
.084
.235
1.059
.174
.191
.987
.004
.180
.830
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2004 IXYS All rights reserved
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JF01PE | INDICATOR SQUARE YELLOW PC |
| JN5121-000-M00T | MODULE 802.15.4 W/CERM ANT |
| JN5139/001,531 | MCU 802.15.4 32BIT 2.4G 56-QFN |
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| JN5139/Z01,515 | IC MCU ZIGBEE 32BIT 2.4G 56QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXUN350N10 | 功能描述:MOSFET 350 Amps 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUV170N075 | 功能描述:MOSFET 170 Amps 75V 0.0053 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUV170N075S | 功能描述:MOSFET 170 Amps 75V 0.0053 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXWW11-AL | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Silicon Chip Resistors |
| IXWW13-AL | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Silicon Chip Resistors |
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