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参数资料
| 型号： | JAN1N4463US |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 8.2 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | JAN1N4463US |
POWER DISCRETES
1
www.semtech.com
1N4460US THRU 1N4496US
Surface Mount(US),
1.5 WATT Voltage Regulators
Features
Revision: July 2010
Quick reference data
V
R = 6.2 - 200V
IZ (MAX) = 7.2mA - 230mA
Z
Z = 4 - 1500
I
R
= 0.05
A - 10A
Low dynamic impedance
Hermetically sealed.
1.5 Watt applications
Low reverse leakage currents
Small package
Thermal Resistance to end cap R
JEC = 18 C/W
These products are qualified to MIL-PRF-19500/406.
They can be supplied fully released as JAN,
JANTX, JANTXV and JANS versions.
Electrical Specifications
Electrical specifications @ T
A = 25°C unless otherwise specified.
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Description
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN1N4464US | 9.1 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| JANTXV1N4466US | 11 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| JAN1N4467US | 12 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| JAN1N4469US | 15 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| JANTX1N4469US | 15 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N4464 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 9.1V 5% 1.5W 2PIN A - Bulk |
| JAN1N4464C | 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
| JAN1N4464CUS | 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±2% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 |
| JAN1N4464D | 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
| JAN1N4464DUS | 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±1% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。