参数资料
型号: JAN1N4463US
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 8.2 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: HERMETIC SEALED PACKAGE-2
文件页数: 2/3页
文件大小: 66K
代理商: JAN1N4463US
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2010 Semtech Corp.
www.semtech.com
POWER DISCRETES
1N4460US THRU 1N4496US
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Notes:
(1) Operating Temperature: -55
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(2) Storage Temperature: -65
°C to 175°C.
Electrical Specifications (Cont.)
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PDF描述
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参数描述
JAN1N4464 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 9.1V 5% 1.5W 2PIN A - Bulk
JAN1N4464C 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1
JAN1N4464CUS 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±2% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1
JAN1N4464D 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1
JAN1N4464DUS 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±1% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1