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参数资料
| 型号： | JAN1N4976C |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
| 中文描述： | 56 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 607K |
| 代理商： | JAN1N4976C |
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED
5 WATT GLASS ZENER DIODES
SCOTTSDALE DIVISION
1N4954 thru 1N4996, 1N5968 thru 1N5969, and
1N6632 thru 1N6637
W
M
.
C
1
1
1
SYMBOLS & DEFINITIONS
Symbol
V
Z
I
Z
, I
ZT
, I
ZK
Definition
Zener Voltage: The zener voltage the device will exhibit at a specified current (I
Z
) in its breakdown region.
Regulator Current: The dc regulator current (I
Z
), at a specified test point (I
ZT
), or near breakdown knee (I
ZK
).
Dynamic Impedance: The small signal impedance of the diode when biased to operate in its breakdown region
at a specified rms current modulation (typically 10% of I
ZT
or I
ZK
) and superimposed on I
ZT
or I
ZK
respectively.
Maximum Forward Voltage: The maximum forward voltage the device will exhibit at a specified current.
Maximum Reverse Current: The maximum reverse (leakage) current that will flow at the specified voltage and
temperature.
Maximum Regulator (Zener) Current: The maximum rated dc current for the specified power rating.
Maximum Zener Surge Current: The nonrepetitive peak value of zener surge current at a specified wave form.
Z
ZT
or Z
ZK
V
F
I
R
I
ZM
I
ZSM
GRAPHS
FIGURE 1
FIGURE 2
SURGE POWER vs.
SURGE DURATION
POWER DISSIPATION vs. LEAD
TEMPERATURE DERATING CURVE
FIGURE 3
TYPICAL ZENER IMPEDANCE vs.
ZENER CURRENT
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2005
2-4-2005 REV C
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| JAN1N4976CUS | 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 |
| JAN1N4976D | 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1 |
| JAN1N4976DUS | 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 |
| JAN1N4976US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 56V 5% 5W 2PIN D-5B - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 56V 5W |
| JAN1N4977 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 62V 5% 5W 2PIN E - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 62V 5W |
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