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参数资料
| 型号： | JAN1N5530CUR |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Nine wide Schmitt trigger buffer; open drain outputs - Description: Nine Wide Schmitt-Trigger Buffer; Open Drain Outputs; TTL Enabled ; Logic switching levels: TTL ; Number of pins: 20 ; Output drive capability: 4 mA ; Power dissipation considerations: Low Power ; Propagation delay: 13 ns; Voltage: 4.5-5.5 V |
| 中文描述： | 10 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | JAN1N5530CUR |
144
CDLL5518
thru
CDLL5546D
.1
.2
.5
1
2
5
10
20
50
100
OPERATING CURRENT I
ZT
(mA)
FIGURE 3
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
Z
Z
1000
500
400
300
200
100
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
28 VOLT
6.8 VOLT
11 VOLT
0
25
50
75
100
125
150
175
TEC , End cap temperature (C°)
POWER DERATING CURVE
500
400
300
200
100
0
P
D
FIGURE 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN1N5530CUR-1 | 4-bit binary ripple counter - Description: 4-Bit Binary Ripple Counter; TTL Enabled ; F<sub>max</sub>: 77 MHz; Logic switching levels: TTL ; Number of pins: 14 ; Output drive capability: +/- 4 mA ; Power dissipation considerations: Low Power ; Propagation delay: 15 ns; Voltage: 4.5-5.5 V |
| JAN1N5530CURTR-1 | Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
| JAN1N5530D | surface mount silicon Zener diodes |
| JAN1N5530D-1 | Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
| JAN1N5540 | Quad 2-input NAND gate |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N5530CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:* 标准包装:1 |
| JAN1N5530D-1 | 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35（DO-204AH） 标准包装:1 |
| JAN1N5530DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:* 标准包装:1 |
| JAN1N5531B-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 11V 5% 417MW 2PIN DO-204AA - Bulk |
| JAN1N5531BUR-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 11V 5% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk |
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