型号: | JANS1N6311 |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 111K |
代理商: | JANS1N6311 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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JANTX1N6315 | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
JANTX1N6310 | 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
JANTXV1N6319 | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
JAN1N6310 | 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
JANS1N6313 | 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JANS1N6311DUS | 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±1% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:30μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 |
JANS1N6311US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin B-MELF 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Waffle Pack |
JANS1N6312 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Waffle Pack |
JANS1N6312CUS | 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):27 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
JANS1N6312DUS | 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):27 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |