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参数资料
| 型号： | JANS1N6311 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | JANS1N6311 |
1N6309 thru 1N6320
.1
.2
.5
1
2
5
10
20
50
100
OPERATING CURRENT IZT (mA)
FIGURE 3
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
ZENER
IMPEDANCE
Z
ZT
(OHMS)
1000
500
400
300
200
100
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
5.1 VOLT
6.2 VOLT
3.3 VOLT
0
25
50
75
100
125
150
175
TL, Lead temperature (C°), 3/8” from body.
POWER DERATING CURVE
500
400
300
200
100
0
Pd,
Rated
Power
Dissipation
(mW)
FIGURE 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANTX1N6315 | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| JANTX1N6310 | 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| JANTXV1N6319 | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| JAN1N6310 | 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| JANS1N6313 | 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JANS1N6311DUS | 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±1% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:30μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 |
| JANS1N6311US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin B-MELF 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Waffle Pack |
| JANS1N6312 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Waffle Pack |
| JANS1N6312CUS | 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:27 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
| JANS1N6312DUS | 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:27 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
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