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参数资料
| 型号： | JANS2N7372 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-254AA |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|进步党| 80V的五（巴西）总裁| 5A条一（c）|至254AA |
| 文件页数： | 17/19页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | JANS2N7372 |
MIL-PRF-19500/512E
7
B
E
Die size:
.030 x .030 inch (0.762 x 0.762 mm).
Die thickness:
.008 ±.0016 inch (0.2032 ±0.04064 mm).
Base pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Emitter pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Back metal:
Gold, 6500 ± 1950 Ang.
Top metal:
Aluminum, 22500 ±2500 Ang.
Back side:
Collector.
Glassivation:
SiO2, 7500 ± 1500 Ang.
FIGURE 5. JANHC and JANKC (A-version) die dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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