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参数资料
| 型号： | JANTXV1N6137A |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 383K |
| 代理商： | JANTXV1N6137A |
1997 SEMTECH CORP.
652 MITCHELL ROAD NEWBURY PARK CA 91320
500W BI-POLARITY TRANSIENT
VOLTAGE SUPPRESSORS
1N6102
thru
1N6137
January 16, 1998
TEL:805-498-2111 FAX:805-498-3804 WEB:http://www.semtech.com
Available in JAN, JANTX, JANTXV and JANS versions
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| JANS1N6122A | 500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| JANS1N6124A | 500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| JANS1N6116A | 500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| JANS1N6109 | 500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| JANS1N6116 | 500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| JANTXV1N6137AUS | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (TVS) - Trays |
| JANTXV1N6137US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Trays |
| JANTXV1N6138 | 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 11.03VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.2V 电压 - 击穿（最小值）:6.14V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.03V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:135.66A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:C，轴向 标准包装:1 |
| JANTXV1N6138A | 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 10.5VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.2V 电压 - 击穿（最小值）:6.46V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:142.8A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:C，轴向 标准包装:1 |
| JANTXV1N6138US | 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 11.03VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.2V 电压 - 击穿（最小值）:6.14V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.03V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:135.66A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 |
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