型号: | JANTXV1N6137A |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 383K |
代理商: | JANTXV1N6137A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JANTXV1N6138 | 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 11.03VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):5.2V 电压 - 击穿(最小值):6.14V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:11.03V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):135.66A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:C,轴向 标准包装:1 |
JANTXV1N6138A | 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 10.5VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):5.2V 电压 - 击穿(最小值):6.46V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:10.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):142.8A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:C,轴向 标准包装:1 |
JANTXV1N6138US | 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 11.03VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):5.2V 电压 - 击穿(最小值):6.14V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:11.03V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):135.66A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,C 供应商器件封装:C,SQ-MELF 标准包装:1 |