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参数资料
| 型号： | JDS2S03S |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | 1-1K1A, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | JDS2S03S |
AP9578GM
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
3/4
0
5
10
15
20
02
46
8
10
12
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
V G = -3.0 V
T A =25
o C
0
5
10
15
20
02468
10
12
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
V G = -3.0 V
T A = 150
o C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
R
DS(ON)
I D =- 3 A
V G =-10V
140
155
170
185
246
8
10
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(ON)
(m
Ω
)
I D =- 2 A
T A =25 ℃
0
1
2
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
-I
S(A
)
T j =25
o C
T j =150
o C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
-
V
GS(t
h)
(V
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JDV21D20 | SILICON, VOLTAGE MULTIPLIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JDS9-1Y | 功能描述:固态继电器-PCB安装 M28750/9-001Y RoHS:否 制造商:Omron Electronics 控制电压范围: 负载电压额定值:40 V 负载电流额定值:120 mA 触点形式:1 Form A (SPST-NO) 输出设备:MOSFET 封装 / 箱体:USOP-4 安装风格:SMD/SMT |
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