- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录373049 > K1100G silicon bilateral voltage triggered switch PDF资料下载
参数资料
| 型号： | K1100G |
| 英文描述： | silicon bilateral voltage triggered switch |
| 中文描述： | 硅双边电压触发开关 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | K1100G |
SIDAC
Teccor Electronics
(972) 580-7777
9-3
SIDAC
V-I Characteristics
Figure 9.1
Peak Surge Current vs Surge Current Duration
I
H
V
TM
Peak
On-State
Voltage
I
T
= 1 Amp
I
TSM
Peak One
Cycle Surge
Current
50/60Hz Sine Wave
(Non-Repetitive)
(5)
R
S
dV
q
/dt
dv/dt
di/dt
Dynamic
Holding Current
50/60Hz
Sine Wave
R = 100
(3) (4)
mAmps
Volts
Max
Package
G
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
Amps
Switching
Resistance
50/60Hz Sine Wave
(9)
k
MIN
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2.0
0.1
0.1
Critical
Rate-of-Rise
of Turn-off
Voltage at
8kHz
Volts/
μ
Sec
MIN
20
20
20
20
20
20
20
20
20
42
20
20
Critical
Rate-of-Rise
of Off-State
Voltage at
Rated V
DRM
T
J
≤
100°C
Volts/
μ
Sec
MIN
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
Critical
Rate-of-Rise
of On-State
Current
Amps/
μ
Sec
TYP
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
60Hz
50Hz
TYP
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
MAX
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
E
F
S
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.5
1.5
1.5
RS
VS
–
--IS
)
IBO
–
)
=
THERMAL RESISTANCE (STEADY STATE)
R
θ
JC
[R
θ
JA
] °C/W (TYPICAL)
E
G
F (6)
7 [45]
S
35 [95]
18 [75]
30 [85]
1.0
10
100
1000
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
20
40
SUPPLY FREQUENCY: 60 Hz Sinusoidal
BLOCKING CAPABILITY MAY BE LOST
DURING AND IMMEDIATELY
FOLLOWING SURGE CURRENT
INTERVAL
OVERLOAD MAY NOT BE REPEATED
UNTIL JUNCTION TEMPERATURE
HAS RETURNED TO STEADY-STATE
RATED VALUE.
Surge Current Duration - Full Cycles
P
O
100
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K1100S | silicon bilateral voltage triggered switch |
| K1500G | silicon bilateral voltage triggered switch |
| K1500S | silicon bilateral voltage triggered switch |
| K1400E70 | Aluminum Electrolytic Radial Lead Low Impedance Capacitor; Capacitance: 560uF; Voltage: 10V; Case Size: 8x20 mm; Packaging: Bulk |
| K1400G | silicon bilateral voltage triggered switch |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| K1100GRP | 功能描述:硅对称二端开关元件 110V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| K1100S | 功能描述:硅对称二端开关元件 110V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| K1-100-S1S1N1 | 制造商:Oslo Switch 功能描述: |
| K1100SRP | 功能描述:硅对称二端开关元件 110V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| K1100Y | 制造商:LITTELFUSE 制造商全称:Littelfuse 功能描述:SIDACs feature glass-passivated junctions to ensure a rugged and dependable |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。