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参数资料
| 型号： | K1100G |
| 英文描述： | silicon bilateral voltage triggered switch |
| 中文描述： | 硅双边电压触发开关 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | K1100G |
Electrical Specifications
SIDAC
9-4
Teccor Electronics
(972) 580-7777
Figure 9.2
Normalized DC Holding Current vs Case/Lead Temperature
Figure 9.3
Typical Metal Halide Ignitor Circuit
Figure 9.4
Repetitive Peak On-State Current (I
TRM
) vs Pulse Width at
Various Frequencies
Figure 9.5
Maximum Allowable Ambient Temperature vs On-State
Current
Figure 9.6
Normalized V
BO
Change vs Junction Temperature
Figure 9.7
Normalized Repetitive Peak Breakover Current vs Junction
Temperature
0
.5
1.0
2.0
1.5
-15
-40
+25
+65
+105
+125
Case Temperature (TC) -
C
I
I
C
R
BALLAST
K2401F1
220V/240V
50/60Hz
Typical Metal Halide Ignitor Circuit
METAL
HALIDE
LAMP
H.V.
STEP-UP
TRANSFORMER
5.6K - 8.2K
5W
5 - 6μH
0.1 - 0.15 μF
0.22 - 0.33 μF
di/dt Limit Line
0.6
0.8
4
2
4
6
8
10
20
40
60
80
100
200
400
600
2 x 10-3
6 8
1 x 10-2
2
Pulse base width (to) - mSec.
4
6 8
1 x 10-1
2
4 6 81
1
R
RepeiionFequencyf=5Hz
f=10Hz
f=100 Hz
f=1 kHz
f=5 kHz
f=10 kHz
f=20 kHz
TJ=125oC Max
to
ITRM
l/f
Non-Repeated
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
20
40
60
80
100
120
140
25
RMS On-State Current [IT(RMS)] - Amps
MA
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal - 60 Hz
LOAD: Resistive or Inductive
FREE AIR RATING
TO92andDO214
-12
-20
0
+20
+40
+60
+80
+100
+120
-10
-8
-6
-4
-2
0
+2
+4
-40
+25
Junction Temperature (TJ) - C
P
+140
20
30
40
50
60
80
70
90
100
110 120
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Junction Temperature (TJ) -
C
R
CB
V=VBO
130
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K1100S | silicon bilateral voltage triggered switch |
| K1500G | silicon bilateral voltage triggered switch |
| K1500S | silicon bilateral voltage triggered switch |
| K1400E70 | Aluminum Electrolytic Radial Lead Low Impedance Capacitor; Capacitance: 560uF; Voltage: 10V; Case Size: 8x20 mm; Packaging: Bulk |
| K1400G | silicon bilateral voltage triggered switch |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| K1100GRP | 功能描述:硅对称二端开关元件 110V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| K1100S | 功能描述:硅对称二端开关元件 110V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| K1-100-S1S1N1 | 制造商:Oslo Switch 功能描述: |
| K1100SRP | 功能描述:硅对称二端开关元件 110V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| K1100Y | 制造商:LITTELFUSE 制造商全称:Littelfuse 功能描述:SIDACs feature glass-passivated junctions to ensure a rugged and dependable |
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