参数资料
型号: KA5L0365RYDTU
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/15页
文件大小: 0K
描述: IC SWIT PWM CM OVP UVLO HV TO220
标准包装: 1,000
频率范围: 45kHz ~ 55kHz
输入电压: 9 V ~ 30 V
输出电压: 650V
功率(瓦特): 75W
工作温度: 25°C ~ 160°C
封装/外壳: TO-220-4 全封装(成形引线)
供应商设备封装: TO-220F-4L
包装: 管件
KA5X03XX-SERIES
Typical Performance Characteristics(SenseFET part)
(KA5H0365R, KA5M0365R, KA5L0365R)
10
1
V GS
Top : 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
Bottom:4.5V
10
1
150 o C
@Notes:
1. 300 μ s Pulse Test
2. T C = 25 o C
25 o C
-25 o C
@Notes:
1. V DS = 30V
2. 300 μ s Pulse Test
0.1
1
10
0.1
2
4
6
8
10
7
6
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. Output Characteristics
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
5
Vgs=10V
1
4
Vgs=20V
3
0.1
150 o C
25 o C
2
1
@ Note : Tj=25 ℃
@Notes :
1. VGS = 0 V
2. 300 μ s Pulse Test
0
0
1
2 3
I D ,Drain Current [A]
4
5
0.01
0.4
0.6 0.8
V SD , Source-Drain Voltage [V]
1.0
1.2
Figure 3. On-Resistance vs. Drain Current
700
Figure 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
600
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
10
V DS =130V
500
C iss
C rss = C gd
8
V DS =320V
V DS =520V
400
6
300
4
200
100
C oss
C rss
2
@ Note : I D =3.0A
0
10 0
10 1
0
0
5
10
15
20
25
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Q G ,Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
5
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