参数资料
型号: KA5L0365RYDTU
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 7/15页
文件大小: 0K
描述: IC SWIT PWM CM OVP UVLO HV TO220
标准包装: 1,000
频率范围: 45kHz ~ 55kHz
输入电压: 9 V ~ 30 V
输出电压: 650V
功率(瓦特): 75W
工作温度: 25°C ~ 160°C
封装/外壳: TO-220-4 全封装(成形引线)
供应商设备封装: TO-220F-4L
包装: 管件
KA5X03XX-SERIES
Typical Performance Characteristics (Continued)
(KA5H0380R, KA5M0380R, KA5L0380R)
10 1
10 1
10 0
V G S
T op : 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
B ottom :4.5V
10 0
150 o C
@ N otes :
1. 300 μ s P uls e T es t
2. T C = 25 o C
25 o C
- 25 o C
@ N otes :
1 . V D S = 30 V
2 . 300 μ s P uls e T es t
10 -1
10 0
10 1
1 0 -1
2
4
6
8
10
V D S , D r a i n - S o u r c e V o l ta g e [V ]
Figure 1. Output Characteristics
V G S , G a te - S o u r c e V o l ta g e [V ]
Figure 2. Thansfer Characteristics
8
7
F i g 3 . O n - R e s i s ta n c e v s . D r a i n C u r r e n t
10
V gs = 10V
6
5
4
V gs = 2 0 V
1
3
2
1
@ N o te : T j= 2 5 ℃
1 50 o C
25 o C
@ N ote s :
1. V G S = 0V
2. 3 00 μ s P uls e T es t
0
0
1
2
3
4
0 .1
0 .4
0 .6
0 .8
1 .0
I D ,D r a i n C u r r e n t
Figure 3. On-Resistance vs. Drain Current
1 000
V S D , S o u r c e - D r a i n V o l ta g e [V ]
Figure 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
900
800
700
600
C is s
C i s s = C g s + C g d (C d s = s h o rt e d )
C oss = C ds + C gd
C rs s = C g d
10
8
6
V D S = 160V
V D S = 400V
V D S = 640V
500
400
300
4
200
100
C oss
C rs s
2
@ N o te : I D = 3 .0 A
0
10 0
10 1
V D S , D r a i n - S o u r c e V o l ta g e [V ]
0
0
5
10 15 20
Q G ,T o ta l G a te C h a r g e [n C ]
25
30
Figure 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Figure 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
7
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