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参数资料
| 型号： | KMPC8343CVRAGDB |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/80页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPU PWRQUICC II 620-PBGA |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | MPC83xx |
| 处理器类型： | 32-位 MPC83xx PowerQUICC II Pro |
| 速度： | 400MHz |
| 电压： | 1.2V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 620-BBGA 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 620-PBGA（29x29） |
| 包装： | 托盘 |
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MPC8343EA PowerQUICC II Pro Integrated Host Processor Hardware Specifications, Rev. 11
Freescale Semiconductor
15
DDR and DDR2 SDRAM
6
DDR and DDR2 SDRAM
This section describes the DC and AC electrical specifications for the DDR SDRAM interface of the
MPC8343EA. Note that DDR SDRAM is GVDD(typ) = 2.5 V and DDR2 SDRAM is GVDD(typ) = 1.8 V.
The AC electrical specifications are the same for DDR and DRR2 SDRAM.
NOTE
The information in this document is accurate for revision 3.0 silicon and
later. For information on revision 1.1 silicon and earlier versions see the
MPC8343E PowerQUICC II Pro Integrated Host Processor Hardware
Specifications. See Section 22.1, “Part Numbers Fully Addressed by This
Document,” for silicon revision level determination.
6.1
DDR and DDR2 SDRAM DC Electrical Characteristics
Table 12 provides the recommended operating conditions for the DDR2 SDRAM component(s) of the
MPC8343EA when GVDD(typ) = 1.8 V.
Table 12. DDR2 SDRAM DC Electrical Characteristics for GVDD(typ) = 1.8 V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
I/O supply voltage
GVDD
1.71
1.89
V
1
I/O reference voltage
MVREF
0.49
× GV
DD
0.51
× GV
DD
V2
I/O termination voltage
VTT
MVREF –0.04
MVREF +0.04
V
3
Input high voltage
VIH
MVREF + 0.125
GVDD +0.3
V
—
Input low voltage
VIL
–0.3
MVREF –0.125
V
—
Output leakage current
IOZ
–9.9
9.9
μA4
Output high current (VOUT = 1.420 V)
IOH
–13.4
—
mA
—
Output low current (VOUT = 0.280 V)
IOL
13.4
—
mA
—
Notes:
1. GVDD is expected to be within 50 mV of the DRAM GVDD at all times.
2. MVREF is expected to equal 0.5 × GVDD, and to track GVDD DC variations as measured at the receiver. Peak-to-peak noise
on MVREF cannot exceed ±2% of the DC value.
3. VTT is not applied directly to the device. It is the supply to which far end signal termination is made and is expected to equal
MVREF. This rail should track variations in the DC level of MVREF.
4. Output leakage is measured with all outputs disabled, 0 V
≤ V
OUT ≤ GVDD.
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PDF描述 |
|---|---|
| 396-012-541-204 | CARD EDGE 12POS DL .125X.25 BLK |
| 046232110103800 | CONN FFC/FPC 10POS 1MM R/A SMD |
| KMPC8343EVRAGDB | IC MPU PWRQUICC II 620-PBGA |
| KMPC8343VRAGDB | IC MPU PWRQUICC II 620-PBGA |
| IDT70V659S10BCG | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| KMPC8343CZQAGD | 功能描述:IC MPU PWRQUICC II 620-PBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微处理器 系列:MPC83xx 标准包装:2 系列:MPC8xx 处理器类型:32-位 MPC8xx PowerQUICC 特点:- 速度:133MHz 电压:3.3V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:357-BBGA 供应商设备封装:357-PBGA（25x25） 包装:托盘 |
| KMPC8343CZQAGDB | 功能描述:微处理器 - MPU 8347 PBGA W/O ENC W/ PB RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| KMPC8343ECVRAGDB | 功能描述:微处理器 - MPU 8347 PBGA NOPB W/ ENC RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| KMPC8343ECZQAGDB | 功能描述:微处理器 - MPU 8347 PBGA ENC W/ PB RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| KMPC8343EVRAGD | 功能描述:IC MPU PWRQUICC II 620-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微处理器 系列:MPC83xx 标准包装:2 系列:MPC8xx 处理器类型:32-位 MPC8xx PowerQUICC 特点:- 速度:133MHz 电压:3.3V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:357-BBGA 供应商设备封装:357-PBGA（25x25） 包装:托盘 |
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