参数资料
型号: KMPC8358VRAGDGA
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 13/95页
文件大小: 0K
描述: IC MPU POWERQUICC II 668-PBGA
标准包装: 2
系列: MPC83xx
处理器类型: 32-位 MPC83xx PowerQUICC II Pro
速度: 400MHz
电压: 1.2V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 668-BBGA 裸露焊盘
供应商设备封装: 668-PBGA-PGE(29x29)
包装: 托盘
MPC8358E PowerQUICC II Pro Processor Revision 2.1 PBGA Silicon Hardware Specifications, Rev. 3
20
Freescale Semiconductor
DDR and DDR2 SDRAM
Table 16 provides the DDR capacitance when GVDD(typ) = 2.5 V.
6.2
DDR and DDR2 SDRAM AC Electrical Characteristics
This section provides the AC electrical characteristics for the DDR and DDR2 SDRAM interface.
6.2.1
DDR and DDR2 SDRAM Input AC Timing Specifications
Table 17 provides the input AC timing specifications for the DDR2 SDRAM interface when
GVDD(typ) = 1.8 V.
Table 18 provides the input AC timing specifications for the DDR SDRAM interface when
GVDD(typ) = 2.5 V.
Table 16. DDR SDRAM Capacitance for GVDD(typ) = 2.5 V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input/output capacitance: DQ, DQS
CIO
68
pF
1
Delta input/output capacitance: DQ, DQS
CDIO
—0.5
pF
1
Note:
1. This parameter is sampled. GVDD = 2.5 V ± 0.125 V, f = 1 MHz, TA = 25°C, VOUT = GVDD/2, VOUT (peak-to-peak) = 0.2 V.
Table 17. DDR2 SDRAM Input AC Timing Specifications for GVDD(typ) = 1.8 V
At recommended operating conditions with GVDD of 1.8 V ± 5%.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
AC input low voltage
VIL
—MVREF – 0.25
V
AC input high voltage
VIH
MVREF + 0.25
V
Table 18. DDR SDRAM Input AC Timing Specifications
At recommended operating conditions with GVDD of 2.5 V ± 5%.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
AC input low voltage
VIL
—MVREF – 0.31
V
AC input high voltage
VIH
MVREF + 0.31
V
Note:
1. Maximum possible skew between a data strobe (MDQS[n]) and any corresponding bit of data (MDQ[8n + {0...7}] if 0
≤ n ≤ 7)
or ECC (MECC[{0...7}] if n = 8).
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