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参数资料
| 型号： | KMPC8541EVTAQF |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPU POWERQUICC III 783-FCPBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MPC85xx |
| 处理器类型： | 32-位 MPC85xx PowerQUICC III |
| 速度： | 1.0GHz |
| 电压： | 1.3V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 783-BBGA，FCBGA |
| 供应商设备封装： | 783-FCPBGA（29x29） |
| 包装： | 托盘 |
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MPC8541E PowerQUICC III Integrated Communications Processor Hardware Specification, Rev. 4.2
16
Freescale Semiconductor
DDR SDRAM
6
DDR SDRAM
This section describes the DC and AC electrical specifications for the DDR SDRAM interface of the
MPC8541E.
6.1
DDR SDRAM DC Electrical Characteristics
Table 11 provides the recommended operating conditions for the DDR SDRAM component(s) of the
MPC8541E.
Table 12 provides the DDR capacitance.
Table 11. DDR SDRAM DC Electrical Characteristics
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
I/O supply voltage
GVDD
2.375
2.625
V
1
I/O reference voltage
MVREF
0.49
× GVDD
0.51
× GVDD
V2
I/O termination voltage
VTT
MVREF – 0.04
MVREF + 0.04
V
3
Input high voltage
VIH
MVREF + 0.18
GVDD + 0.3
V
—
Input low voltage
VIL
–0.3
MVREF – 0.18
V
—
Output leakage current
IOZ
–10
10
μA4
Output high current (VOUT = 1.95 V)
IOH
–15.2
—
mA
—
Output low current (VOUT = 0.35 V)
IOL
15.2
—
mA
—
MVREF input leakage current
IVREF
—5
μA—
Notes:
1. GVDD is expected to be within 50 mV of the DRAM GVDD at all times.
2. MVREF is expected to be equal to 0.5 × GVDD, and to track GVDD DC variations as measured at the receiver. Peak-to-peak
noise on MVREF may not exceed ±2% of the DC value.
3. VTT is not applied directly to the device. It is the supply to which far end signal termination is made and is expected to be
equal to MVREF. This rail should track variations in the DC level of MVREF.
4. Output leakage is measured with all outputs disabled, 0 V
≤ V
OUT ≤ GVDD.
Table 12. DDR SDRAM Capacitance
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input/output capacitance: DQ, DQS, MSYNC_IN
CIO
68
pF
1
Delta input/output capacitance: DQ, DQS
CDIO
—0.5
pF
1
Note:
1. This parameter is sampled. GVDD = 2.5 V ± 0.125 V, f = 1 MHz, TA = 25°C, VOUT = GVDD/2, VOUT (peak to peak) = 0.2 V.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| KMPC8541EPXAPF | IC MPU POWERQUICC III 783-FCPBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| KMPC8541PXALF | 功能描述:微处理器 - MPU PQ 37 LITE 8555 RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| KMPC8541PXAPF | 功能描述:微处理器 - MPU PQ 37 LITE 8555 RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| KMPC8541PXAQF | 功能描述:微处理器 - MPU PQ 37 LITE 8555 RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| KMPC8541VTALF | 功能描述:微处理器 - MPU PQ 37 LITE 8555 RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| KMPC8541VTAPF | 功能描述:微处理器 - MPU PQ 37 LITE 8555 RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
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