- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299357 > L0103MTRP 600 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | L0103MTRP |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 600 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | L0103MTRP |
44
Revised: July 9, 2008
2008 Littelfuse, Inc.
Teccor brand Thyristors
Specications are subject to change without notice.
Please refer to http://www.littelfuse.com for current information.
Specications are subject to change without notice.
Please refer to http://www.littelfuse.com for current information.
EV Series 1 Amp Sensitive Triacs
L01 Series
Electrical Characteristics (T
J = 25°C, unless otherwise specied)
Static Characteristics (T
J = 25°C, unless otherwise specied)
Symbol
Description
Test
Conditions
Quadrant
Limit
Value
Unit
L0103xy
L0107xy
L0109xy
I
GT
DC Gate Trigger Current
V
D = 12V
R
L = 60 Ω
I – II – III
IV
MAX.
3
5
7
10
mA
V
GT
DC Gate Trigger Voltage
ALL
MAX.
—
1.3
—
V
I
H
Holding Current
Gate Open
MAX.
7
10
mA
dv/dt
Critical Rate-of-Rise of
Off-State Voltage
T
J = 110°C
V
D = VDRM
Exponential Waveform
Gate Open
MIN.
10
20
50
V/μs
(dv/dt)c
Critical
Rate-of-Rise of
Commutating Voltage
(di/dt)c = 0.54A/ms
T
J = 110°C
MIN.
0.5
1.0
2.0
V/μs
T
gt
Turn-On Time
I
G = 25mA
PW = 15μs
I
T = 1.2A (pk)
MAX.
2.0
μs
Symbol
Description
Test Conditions
Limit
Value
Unit
V
TM
Peak On-State Voltage
I
TM = 1.4A (pk)
MAX
1.60
V
I
DRM
Off-State Current, Peak Repetitive
V
D= VDRM TJ = 25°C
MAX
5μA
V
D= VDRM TJ = 125°C
500
μA
Thermal Resistances
Symbol
Description
Test Conditions
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case (AC)
I
T = 1.0A (RMS)
1
TO-92
50
°C/W
SOT-223
23
R
th(j-a)
Junction to ambient
I
T = 1.0A (RMS)
1
TO-92
100
°C/W
SOT-223
55
1
60Hz AC resistive load condition, 100% conduction.
Note: x = voltage, y = package
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L04025R6BHNTR | INDUCTOR THIN FILM 5.6NH 0402 |
| L04026R8BHNTR | INDUCTOR THIN FILM 6.8NH 0402 |
| L0402R82BHNTR | INDUCTOR THIN FILM .82NH 0402 |
| L04023R3BHNTR | INDUCTOR THIN FILM 3.3NH 0402 |
| L04023R9BHNTR | INDUCTOR THIN FILM 3.9NH 0402 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| L0103MTRP4 | 功能描述:双向可控硅 1A 600V 3 3 3 5 mA Sen Triac RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L0103NE | 功能描述:双向可控硅 SEN TRIAC 1A 800V 3 3 3 5 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L0103NEAP | 功能描述:双向可控硅 SEN TRIAC 1A 800V 3 3 3 5 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L0103NERP | 功能描述:双向可控硅 SEN TRIAC 1A 800V 3 3 3 5 Ma RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L0103NT | 制造商:LITTELFUSE 制造商全称:Littelfuse 功能描述:New 1 Amp bi-directional solid state switch series offering direct interface |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。