参数资料
型号: L6382D5TR
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 电源管理
英文描述: 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO20
封装: ROHS COMPLIANT , SOP-20
文件页数: 10/21页
文件大小: 267K
代理商: L6382D5TR
Package mechanical data
L6382D5
18/21
Table 5. SO-20 Mechanical data
Dim.
mm.
inch
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
A
2.35
2.65
0.093
0.104
A1
0.10
0.30
0.004
0.012
B
0.33
0.51
0.013
0.200
C
0.23
0.32
0.009
0.013
D (1)
12.60
13.00
0.496
0.512
E
7.40
7.60
0.291
0.299
e
1.27
0.050
H
10.0
10.65
0.394
0.419
h
0.25
0.75
0.010
0.030
L
0.40
1.27
0.016
0.050
k
0° (min.), 8° (max.)
ddd
0.10
0.004
Figure 7.
Package dimensions
相关PDF资料
PDF描述
L6382D5 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO20
L64005-F SPECIALTY CONSUMER CIRCUIT, PQFP160
L64007 SPECIALTY CONSUMER CIRCUIT, PQFP160
L64013A1 SPECIALTY CONSUMER CIRCUIT, PQFP100
L64014A SPECIALTY CONSUMER CIRCUIT, PQFP144
相关代理商/技术参数
参数描述
L6382DTR 功能描述:电池管理 Pwr management unit RoHS:否 制造商:Texas Instruments 电池类型:Li-Ion 输出电压:5 V 输出电流:4.5 A 工作电源电压:3.9 V to 17 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:VQFN-24 封装:Reel
L6384 功能描述:功率驱动器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
L6384 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V HALF BRIDGE DRIVER 6384 DIP8
L6384D 功能描述:功率驱动器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
L6384D 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC MOSFET DRIVER HALF BRIDGE ((NW))