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参数资料
| 型号： | LCMXO1200C-3TN100C |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 14/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PLD 1200LUTS 73I/O 100-TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | MachXO |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 5.1ns |
| 电压电源 - 内部： | 1.71 V ~ 3.465 V |
| 宏单元数： | 600 |
| 输入/输出数： | 73 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 220-1177 |
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Architecture
MachXO Family Data Sheet
Bus Size Matching
All of the multi-port memory modes support different widths on each of the ports. The RAM bits are mapped LSB
word 0 to MSB word 0, LSB word 1 to MSB word 1 and so on. Although the word size and number of words for
each port varies, this mapping scheme applies to each port.
RAM Initialization and ROM Operation
If desired, the contents of the RAM can be pre-loaded during device configuration. By preloading the RAM block
during the chip configuration cycle and disabling the write controls, the sysMEM block can also be utilized as a
ROM.
Memory Cascading
Larger and deeper blocks of RAMs can be created using EBR sysMEM Blocks. Typically, the Lattice design tools
cascade memory transparently, based on specific design inputs.
Single, Dual, Pseudo-Dual Port and FIFO Modes
Figure 2-12 shows the five basic memory configurations and their input/output names. In all the sysMEM RAM
modes, the input data and address for the ports are registered at the input of the memory array. The output data of
the memory is optionally registered at the memory array output.
Figure 2-12. sysMEM Memory Primitives
AD[12:0]
DI[35:0]
CLK
CE
RST
EBR
DO[35:0]
ADA[12:0]
DIA[17:0]
CLKA
CEA
RSTA
WEA
EBR
ADB[12:0]
DIB[17:0]
CEB
CLKB
RSTB
WEB
WE
CS[2:0]
AD[12:0]
Single Port RAM
CSA[2:0]
DOA[17:0]
ADW[12:0]
DI[35:0]
True Dual Port RAM
CSB[2:0]
DOB[17:0]
ADR[12:0]
CLK
CE
RST
CS[2:0]
EBR
DO[35:0]
CLKW
CEW
WE
RST
CS[2:0]
EBR
DO[35:0]
CER
CLKR
ROM
Pseudo-Dual Port RAM
DO[35:0]
DI[35:0]
CLKW
RSTA
WE
CEW
EBR
CLKR
RSTB
RE
RCE
FF
AF
EF
AE
FIFO
2-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMC30DRXS | CONN EDGECARD 60POS DIP .100 SLD |
| GBB45DHBR | CONN EDGECARD 90POS R/A .050 SLD |
| V110C12H100BF3 | CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W |
| GBM18DRMD-S288 | CONN EDGECARD 36POS .156 EXTEND |
| AYM22DRSN-S664 | CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LCMXO1200C-3TN100I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 73 I/O 1.8/2.5/3.3V IND RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO1200C-3TN144C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTS 113 I/O RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO1200C-3TN144I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 113 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO1200C-4B256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -4 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO1200C-4B256I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -4 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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