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参数资料
| 型号： | LCMXO1200C-3TN100I |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 48/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PLD 1200LUTS 73I/O 100-TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | MachXO |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 5.1ns |
| 电压电源 - 内部： | 1.71 V ~ 3.465 V |
| 宏单元数： | 600 |
| 输入/输出数： | 73 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 220-1378 LCMXO1200C-3TN100I-ND |
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Pinout Information
MachXO Family Data Sheet
LCMXO256 and LCMXO640 Logic Signal Connections: 100 csBGA
LCMXO256
LCMXO640
Ball
Ball
Dual
Differen-
Ball
Ball
Dual
Differen-
Number
B1
C1
D2
D1
C2
E1
E2
F1
Function
PL2A
PL2B
PL3A
PL3B
PL3C
PL3D
PL4A
PL4B
Bank
1
1
1
1
1
1
1
1
Function
tial
T
C
T
C
T
C
T
C
Number
B1
C1
D2
D1
C2
E1
E2
F1
Function
PL2A
PL2C
PL2B
PL2D
PL3A
PL3B
PL3C
PL3D
Bank
3
3
3
3
3
3
3
3
Function
tial
T
T
C
C
T
C
T
C
F2
PL5A
1
T
F2
PL4A
3
G2
H1
H2
PL5B
GNDIO1
PL5C
1
1
1
C
T
G2
H1
H2
PL4C
GNDIO3
PL4D
3
3
3
T
C
J1
J2
PL5D
PL6A
1
1
GSRN
C
T
J1
J2
PL5B
PL7B
3
3
GSRN
K1
K2
PL6B
PL7A
1
1
TSALL
C
T
K1
K2
PL8C
PL8D
3
3
TSALL
T
C
L1
L2
M1
M2
N1
M3
N2
PL7B
PL7C
PL7D
PL8A
PL8B
PL9A
GNDIO1
1
1
1
1
1
1
1
C
T
C
T
C
T
L1
L2
M1
M2
N1
M3
N2
PL9A
PL9C
PL10A
PL10C
PL11A
PL11C
GNDIO3
3
3
3
3
3
3
3
P2
P3
N4
P4
N3
P5
N5
P6
N6
P7
TMS
PL9B
TCK
PB2A
PB2B
TDO
PB2C
TDI
PB2D
VCC
1
1
1
1
1
1
1
1
1
-
TMS
TCK
TDO
TDI
C
T
C
T
C
P2
P3
N4
P4
N3
P5
N5
P6
N6
P7
TMS
PB2C
TCK
VCCIO2
GNDIO2
TDO
PB4C
TDI
PB4E
VCC
2
2
2
2
2
2
2
2
2
-
TMS
TCK
TDO
TDI
N7
P8
N8
P9
PB3A
PB3B
PB3C
PB3D
1
1
1
1
PCLK1_1**
PCLK1_0**
T
C
T
C
N7
P8
N8
P9
PB5B
PB5D
PB6B
PB6C
2
2
2
2
PCLK2_1**
PCLK2_0**
N10
GNDIO1
1
N10
GNDIO2
2
P11
PB4A
1
T
P11
PB8B
2
N11
P12
N12
PB4B
PB4C
PB4D
1
1
1
C
T
C
N11
P12
N12
PB8C
PB8D
PB9A
2
2
2
T
C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| LCMXO1200C-4B256I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -4 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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