参数资料
型号: LCMXO640C-3FT256I
厂商: LATTICE SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: PLD
中文描述: FLASH PLD, 4.9 ns, PBGA256
封装: 17 X 17 MM, FTBGA-256
文件页数: 46/96页
文件大小: 1389K
代理商: LCMXO640C-3FT256I
4-5
Pinout Information
Lattice Semiconductor
MachXO Family Data Sheet
LCMXO256 and LCMXO640 Logic Signal Connections: 100 TQFP
Pin Number
LCMXO256
LCMXO640
Ball
Function
Bank
Dual
Function
Differential
Ball
Function
Bank
Dual
Function
Differential
1
PL2A
1
T
PL2A
3
T
2
PL2B
1
C
PL2C
3
T
3
PL3A
1
T
PL2B
3
C
4
PL3B
1
C
PL2D
3
C
5
PL3C
1
T
PL3A
3
T
6
PL3D
1
C
PL3B
3
C
7
PL4A
1
T
PL3C
3
T
8
PL4B
1
C
PL3D
3
C
9
PL5A
1
T
PL4A
3
10
VCCIO1
1
VCCIO3
3
11
PL5B
1
C
PL4C
3
T
12
GNDIO1
1
GNDIO3
3
13
PL5C
1
T
PL4D
3
C
14
PL5D
1
GSRN
C
PL5B
3
GSRN
15
PL6A
1
T
PL7B
3
16
PL6B
1
TSALL
C
PL8C
3
TSALL
T
17
PL7A
1
T
PL8D
3
C
18
PL7B
1
C
PL9A
3
19
PL7C
1
T
PL9C
3
20
PL7D
1
C
PL10A
3
21
PL8A
1
T
PL10C
3
22
PL8B
1
C
PL11A
3
23
PL9A
1
T
PL11C
3
24
VCCIO1
1
VCCIO3
3
25
GNDIO1
1
GNDIO3
3
26
TMS
1TMS
TMS
2TMS
27
PL9B
1
C
PB2C
2
28
TCK
1
TCK
2
TCK
29
PB2A
1
T
VCCIO2
2
30
PB2B
1
C
GNDIO2
2
31
TDO
1TDO
TDO
2TDO
32
PB2C
1
T
PB4C
2
33
TDI
1
TDI
2
TDI
34
PB2D
1
C
PB4E
2
35
VCC
-
VCC
-
36
PB3A
1
PCLK1_1**
T
PB5B
2
PCLK2_1**
37
PB3B
1
C
PB5D
2
38
PB3C
1
PCLK1_0**
T
PB6B
2
PCLK2_0**
39
PB3D
1
C
PB6C
2
40
GND
-
GND
-
41
VCCIO1
1
VCCIO2
2
42
GNDIO1
1
GNDIO2
2
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LCMXO640C-3M100C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.8/2 .5/3.3V -3 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-3M100I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.8/2 .5/3.3V -3 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-3M132C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 101 IO 1.8/ 2.5/3.3V -3 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100