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参数资料
| 型号： | LCMXO640E-3T100C |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 13/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PLD 640LUTS 74I/O 100-TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | MachXO |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 4.9ns |
| 电压电源 - 内部： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 宏单元数： | 320 |
| 输入/输出数： | 74 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
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Architecture
MachXO Family Data Sheet
Table 2-5. PLL Signal Descriptions
Signal
CLKI
CLKFB
RST
CLKOS
CLKOP
CLKOK
LOCK
CLKINTFB
DDAMODE
DDAIZR
DDAILAG
DDAIDEL[2:0]
I/O
I
I
I
O
O
O
O
O
I
I
I
I
Description
Clock input from external pin or routing
PLL feedback input from PLL output, clock net, routing/external pin or internal feedback from
CLKINTFB port
“1” to reset the input clock divider
PLL output clock to clock tree (phase shifted/duty cycle changed)
PLL output clock to clock tree (No phase shift)
PLL output to clock tree through secondary clock divider
“1” indicates PLL LOCK to CLKI
Internal feedback source, CLKOP divider output before CLOCKTREE
Dynamic Delay Enable. “1”: Pin control (dynamic), “0”: Fuse Control (static)
Dynamic Delay Zero. “1”: delay = 0, “0”: delay = on
Dynamic Delay Lag/Lead. “1”: Lag, “0”: Lead
Dynamic Delay Input
For more information on the PLL, please see details of additional technical documentation at the end of this data
sheet.
sysMEM Memory
The MachXO1200 and MachXO2280 devices contain sysMEM Embedded Block RAMs (EBRs). The EBR consists
of a 9-Kbit RAM, with dedicated input and output registers.
sysMEM Memory Block
The sysMEM block can implement single port, dual port, pseudo dual port, or FIFO memories. Each block can be
Table 2-6. sysMEM Block Configurations
Memory Mode
Single Port
True Dual Port
Pseudo Dual Port
FIFO
2-10
Configurations
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
256 x 36
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
256 x 36
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
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参数描述 |
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